外周伤害性刺激诱导大鼠脑干内延髓网状背侧亚核传入投入神经元的c—fos表达

用荧光金逆行追踪和FOS荧光免疫组织化学染色相结合的方法对外周伤害性刺激下大鼠脑干内向延髓网状背侧亚核传入投射的神经元中c-fos的表达进行了研究，在麻醉状况下将0.15μl2%荧光金注入大鼠单侧延髓网状背侧亚核，存活5d后用1％福尔马林刺激同侧前爪、后爪和口周，2h后灌注取材，再行FOS免疫荧光标记。结果发现在脑的中脑导水管周围灰质、中缝背核、线形核和中缝大核内观察到荧光金记细胞、FOS样免疫阳性反应细胞及荧光金／FOS双标细胞。在这四个核团中，双标细胞数分别占荧光金逆标神经元数的25％（中脑导水管周围灰质）、11.7%（中缝背核）、8.9%（线形核）和12.1%（中缝大核）。结果提示在脑干向延髓网状背侧亚核投射的神经元中，有一部分与外周伤害性刺激信息的调控有关，还有的神经元可能具有其它的功能。     

光化学法脑缺血后细胞凋亡及其相关基因bcl-2表达的变化

采用ＴＵＮＥＬ染色及免疫组织化学技术对光化学法脑缺血后细胞凋亡及其相关基因ｂｃｌ－２表达的变化进行了研究。结果发现，缺血后１２ｈ，损伤侧皮层缺血区内凋亡细胞数及ｂｃｌ－２免疫反应阳性细胞数明显增加，一直持续至缺血后７２ｈ；并呈现下列时程变化：在缺血后３ｈ每张切片上几乎无凋亡细胞出现，以后逐渐增加，缺血后１２ｈ达到峰值，缺血后２４ｈ和缺血后７２ｈ逐渐减少，但仍高于假手术组水平。凋亡相关基因ｂｃｌ－２的表达在缺血后３ｈ以前不明显，缺血后１２ｈ逐渐增加，缺血后２４ｈ最多，以后逐渐下降。上述结果提示，缺血后凋亡细胞的时程变化可能与缺血后梗塞灶的发生和发展有关，而ｂｃｌ－２表达的变化可能与抑制细胞凋亡、发挥内源性细胞保护作用有关。