首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  免费   0篇
  2012年   1篇
  2010年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  1994年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 156 毫秒
1
1.
遮光处理对节瓜光合作用特性的影响   总被引:8,自引:2,他引:6  
在塑料大棚内设置不同光照强度处理[自然光(对照)、遮光40%和遮光60%],研究遮光处理对节瓜(Benincasa hispida Cogn. var. chieh-qua How.)功能叶片光合特性的影响,结果表明节瓜叶片净光合速率(Pn)日变化呈单峰曲线,各处理在11:00达到峰值.节瓜Pn峰值随光照强度的减小而降低,叶片Pn达到峰值之前随遮光程度的增大而降低,而达到峰值之后,遮光40%处理的节瓜叶片Pn比对照高.叶片Pn的日变化幅度随遮光程度的增强而减小,叶片的光饱和点随光照强度的减小而明显降低.结果说明遮光处理通过影响环境因子和节瓜叶片生理特性等内在因素而影响其光合作用.塑料大棚内中午前后用遮光强度适宜的遮阳网覆盖,可提高节瓜功能叶片的光合能力,有利于提高产量.  相似文献   
2.
缺磷胁迫下不同长豇豆品种幼苗的解剖结构   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了不同长豇豆[Vigna unquiculata W. ssp. sesquipedalis (L.) Verd]品种幼苗在缺磷胁迫下的形态结构变化.结果表明:缺磷胁迫下,耐缺磷品种‘芦花白'的叶片和海绵组织厚度增幅较大,栅栏组织厚度与海绵组织厚度的比值减小,气孔密度增幅较小;茎和茎导管直径增大,且比不耐缺磷的品种‘二芦白'大;根直径变小,根量增加,这使其在缺磷胁迫下能保持较强的养分和水分吸收、输导能力和光合能力.缺磷胁迫下,长豇豆叶表皮气孔密度增大,气孔蒸腾加强,促进了水分和磷从根部向上运转及磷的被动吸收.不耐缺磷品种‘二芦白'的气孔密度增加幅度较大,促进磷吸收运转的强度较大,为避免过多失水,栅栏组织厚度及栅栏组织与海绵组织厚度的比值增加较大,减弱了非气孔蒸腾的强度.  相似文献   
3.
缺磷胁迫下不同长豇豆品种幼苗中IAA含量的变化   总被引:8,自引:0,他引:8  
缺磷胁迫下对缺磷敏感程度不同的3个品种长豇豆幼苗根中IAA含量均提高,二芦白升幅最大,芦花白次之,香港青最小;嫩茎叶中IAA含量都升高,香港青升幅最大,芦花白次之,二芦白最小。缺磷胁迫下长豇豆幼苗中IAA含量升高,并可能从地上部向根系运转,因而根冠比提高。  相似文献   
4.
以4个不同基因型的节瓜为材料,通过两个发育时期(10、19片叶展平)茎尖取样,研究了多胺(PA)含量和比值与植株花性别分化的关系。结果表明,节瓜茎尖4种多胺含量差异显著,两个取样时期都是亚精胺(Spd)〉腐胺(Put)〉尸胺(Cad)〉精胺(Spm)。10片叶展平时期多胺含量与节瓜花性别分化之间没有明确的相关性;19片叶展平时期,节瓜茎尖Put、Spd和多胺总量与植株雌花分化比例呈极显著的正相关,而Cad则与雌花分化比例呈极显著的负相关。在两个取样时期,复合指标Spd/PA都与植株雌花分化比例呈显著的正相关,而(Put+Cad)/(Spd+Spm)均与之呈显著的负相关,可以较好地预测节瓜的花性别分化状况。  相似文献   
5.
以8份冬瓜和节瓜为材料,采用改良CTAB法提取基因组DNA,采用正交试验设计,对冬瓜和节瓜RAPD条件进行了优化,建立了最佳反应体系:25μL反应体系中含1×buffer,模板DNA、Mg2+、dNTPs、引物和Taq酶的浓度分别为20 ng、2.0mmol/L、0.24 mmol/L、0.3μmol/L和1.0 U。PCR扩增程序为:94℃预变性5 min;94℃变性45 s,36.9℃退火45 s,72℃延伸1.5min,共40个循环;72℃延伸10 min,12℃保存。  相似文献   
6.
以三年生的火鹤花(Anthuriumandeanum)品种Avo-Ingrid202为材料,用基质盒栽,初花期移入人工气候室(加拿大产PGV油型)进行不同温度处理,另设40C处理以观察灼伤变出的时间。处理时每天光照(5000l-c)12h,相对湿度为75%。处理后于不同时间取样,测定叶片电导率和过氧化物酶活性(华东师范大学生物系植物生理教研组.植物生理学实验指导.北京:高等教育出版社,1980.143)的结果表明:1.40C高温处理6h之内,叶片未出现灼伤现象,处理6~sh时,叶片上半部叶缘和叶肉出现水渍状.进而发生给缩,呈现严重的灼伤,其后干枯。其余…  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号