正常小儿胫神经诱发短潜伏时头皮体感区电位及脑瘫对该电位的影响

本研究观察了20例正常小儿和49例脑瘫小儿的下肢胫后神经刺激性短潜伏时头皮体感诱发电位(PTN-SSEP)。正常小儿在刺激后出现6个反应波(P18、N23、P31、N42、P54和N68),大脑左右两体感头皮的SSEP波形相似;时相基本相等,t检验表明两侧间无差异;电压除波P31外其余波也无显著差异。脑瘫小儿PTN-SSEP异常率达91.84％,有4种类型:正常型占8.16％、混合异常型57.14％、反应低下型6.12％及电压不对称型28.57％。经统计患儿左右头皮的SSEP、潜伏时和电压均有显著差异(P<0.05),其中P31和N42电压差值>50％。与正常小儿比较,患儿双侧反应降低,多数波潜伏时延长。患侧电压损失率>50％(P<0.001),波P18、N23和P31的潜伏时差异显著。结果提示.(1)正常小儿体感通路反应稳定,左右侧活动基本对称;(2)脑瘫小儿体感通路左右侧活动不对称,患侧传导机能下降,体感皮层反应减退。     

制备玻璃绝缘钨丝微电极时的阻抗控制和记录神经元发放时对脑波动的控制

1.本文介绍一种改进的毛细玻管-钨丝微电极的制备法,主要之点是将事先制备好的钨丝尖端全部密封于玻管内,然后用氟氢酸溶去尖端包被之玻璃以控制钨丝尖端裸露之程度。与钨丝尖端之粗细选择相配合则可能获得各种不同之阻抗,其范围为1-10MΩ。记录细胞外发放的适宜阻抗为2-4MΩ。2.应用此种电极,既可记录小脑皮层较大的浦肯野氏细胞又可记录较小的颗粒细胞发放而不拾取穿行于其间的轴突或树突的活动。此种电极具有良好的稳定性和较低的噪音水平并具较大的穿刺强度和较少损伤脑组织。制备方便,不易损坏,可多次反复使用。3.利用在微电极推进仪上增设的金属环,有效地控制了脑波动,从而有可能更准确地记录各深度的细胞活动。金属环经绝缘连接后,可作为记录刺入部周围脑皮层诱发电位之电极。4.利用钨丝电极,选适宜之泸波参数与阻抗尚可记录该刺入深度之诱发电位。