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目的:探讨高压电场对A549细胞中ABCG2和V-ATPase表达量的影响;探讨高压电场对A549细胞耐药性的影响。方法:MTT法测细胞生长曲线,明确能导致细胞可逆性电穿孔的最高电场强度。慢病毒构建ABCG2和V-ATPase低表达的A549细胞系,并用电场处理,用q-RT-PCR和Western-blot法检测处理前后ABCG2和V-ATPase的m RNA和蛋白表达量的变化。最适强度的高压电场处理各组细胞,在处理前后的细胞中分别加入阿霉素,用高效液相色谱法检测各组细胞中阿霉素浓度。结果:当电场强度为1500 V/cm时,肿瘤细胞增殖最慢;电场强度为1500 V/cm时,肿瘤细胞中ABCG2和V-ATPase的m RNA和蛋白的表达量分别降至对照组的58%和61%,具有统计学差异;1500 V/cm强度的电场可以提高肿瘤细胞内阿霉素的浓度3-4倍。结论:高压电场可以显著降低肿瘤细胞中V-ATPase和ABCG2的m RNA和蛋白的表达量并降低肿瘤细胞的耐药性。 相似文献
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N端脑钠肽前体(NT-proBNP)为脑钠肽(BNP)生成过程中产生的无活性肽段残片,其与BNP等摩尔量分泌。近年来,NT-proBNP的检测在心血管领域的作用越来越得到国内外学者的关注。NT-proBNP在心血管疾病的诊断、预后、分级等方面都具有重要的价值。本文主要介绍NT-proBNP在心血管疾病中的研究进展。 相似文献
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