小脑皮层在兔瞬膜条件反射过程中的调制作用

以音调结合气流刺激兔角膜的训练建立瞬膜条件反射,在条件反射率刚达90%,连续出现三组的学习初始阶段,电解损毁小脑半球第六小叶皮层使 D-I 核的学习相关性电活动和瞬膜条件反射消除,但不影响“非条件”反射,而在经一周巩固训练的动物,损毁小脑皮层上述区域不发生影响。D-I 核的细胞自发电活动在学习初期和记忆巩固时期也有所不同。在学习后期,D-I 核的细胞自发电活动频率减低,和在学习初期与损毁小脑皮层后的频率变化相似。实验结果表明:在瞬膜条件反射过程中,以小脑皮层为主导,对瞬膜条件反射的产生和D-I 核的学习相关性电活动具有调制作用。随着记忆巩固过程,D-I 核脱离皮层的控制而发展成为这一学习模式的记忆痕迹基础部位。     

两株大豆根瘤菌在结瘤过程中的相互影响

本文报道了大豆根瘤菌菌株PRc005和CB1809在大豆“矮脚早”品种上的竞争结瘤能力。在灯光栽培室进行了大豆砂培盆栽试验,考察了大豆根瘤数、根瘤千重和地上部植株千重。用免疫荧光抗体检测了两个菌株的占瘤率。试验结果表明,菌株cB1809的竞争结瘤能力显著地比菌株PRC005差,后者占有绝对的竞争结瘤优势。但是,菌株cB1809在大豆根际的出现,使菌株PRC005的结瘤数和根瘤干重显著下降。菌株CB1809较高的根际菌数并没有显著地提高该菌的占瘤率。试验结果反映了菌株CB1809不适合大豆“矮脚早”品种的结瘤。     

臭味假单胞菌β-酮己二酸单酰辅酶A硫解酶的提纯和性质

从臭味假单胞菌中提纯了β-酮己二酸单酰辅酶A硫解酶,在聚丙烯酰胺凝腋电泳上是均一的,比活力提高113倍。该酶分子量为1 52000,每个酶分子包含4个相同的亚基,亚基分子量为40000。用等电聚焦电泳测得该酶的等电点pI为6．5。     

真菌由一级胺合成二级胺的例证——甲基异戊胺和哌啶的微生物合成

致癌的甲基异戊基亚硝胺和亚硝基哌啶的前体物——甲基异戊胺和哌啶可由食管癌高发区(林县)食物中常见的真菌(串珠镰刀菌和圆弧青霉)利用异戊胺和异丁胺来合成。本文报道这项实验结果,并对真菌在致癌物亚硝胺形成中的作用进行了探讨。     

啤酒酵母对杀假丝菌素抗性的遗传分析

杀假丝菌素(Candicidin)在0．8μ／ml的YEPG平板上能完全抑制呻酒酵母(Saechar-mycescerevisiae) H802-1B (a,lys2)及H802-5D(a,ade,ural)的生长。将H802-1B涂布在含有5—70μg／ml的抗生素平板上分离得到抗性突变体。第一次突变体的最高抗性水平是50μg／ml,从5—50μg／ml 抗生素平板上共获得39株自发突变株,第二次抗性突变株是将第一次突变体涂布在更高浓度(70—90μg／ml)的抗生素平板上分离到的。部分抗性突变株(70μg／ml和90μg／ml)与亲株H802-5D交配,测其分离子的抗性,所有杂合二倍体表现：抗性：敏感性为2：2分离现象。H1121-1A(a,lys2,CADR9)XH113-8A(a, ural,CADR30)的杂种抗性分离行为：PD(17个子囊),NPD(2个子囊)T(4个子囊)口遗传分析证明,实验用的抗性突变体有两个显性抗性基因CADHr30和CADR90．     

蔓胡颓子根瘤内生菌的分离和培养

用四氧化锇法,从蔓胡颓子(Elaeagnus glabra Thurib)根瘤中分离出内生菌纯培养菌株(Frankia sp Eg1413)。根据其形态特征,确认为孢囊放线菌。该菌株的菌丝、孢囊、孢囊孢子和泡囊基本与已知胡颓子属植物根瘤内生菌株相似,回接宿主植物实生苗,形成大量具有固氮活力的根瘤,根瘤的固氮酶话力为21．5n mol C2H4／g根瘤鲜重分钟。该菌株最适宜的碳源为挥发性的脂肪酸(如丙酸),最适宜的氮源为多蛋白胨,在基础培养液中加入维生素混合物,对生长有抑制作用。最适培养温度为29℃,最适生长的pH范围6.5—7.0。