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植物名称:石梓(Gmelina arborea)材材类别:侧枝顶芽。切取5毫米左右的茎尖接种。培养条件:基本培养基均为MS。(一)不定芽分化培养基,每升添加1.0毫克BA;(二)幼苗培养基,每升添加0.8毫克BA和0.5~1.0毫克IAA;(三) 生根培养基,每升添加0.5毫克IBA,或先经125ppm浓度的IBA溶液处理,再培养在无激素的液体MS培养基上。培养温度在24℃以上,室内自然散射光。生长和分化情况:(一)在MS+BA 1.0毫克/升培养基上,培养十天以后,逐渐形成3~4个或更多个不定芽,间或有少量幼苗形成,二十天以后如不转移到MS+BA 相似文献
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黄花菜组织培养研究简报 总被引:1,自引:0,他引:1
植物名称:黄花菜(Hemerocallis fullva)。材料类别:心叶。培养条件:诱导愈伤组织培养基(培养基-1):N_6+2,4-D2毫克/升+6BA_1毫克/升;分化培养基(培养基-2):N_6+2,4-D0.25毫克/升+6BA2毫克/升+肌醇100毫克/升。将芽及愈伤组织转移至N_6+2,4-D0.1毫克/升+IAA_1毫克/升+6BA0.2毫克/升+肌醇 相似文献
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植物名称:扁豆(Dolichos lablab),品种紫花扁豆。材料类别:花粉发育处于四分体至双核初期的花药。培养条件:诱导愈伤组织培养基是B_5培养基,每升附加2,4-D2毫克,BA 0.5毫克,蔗糖为6%。分化培养基为MS,每升附加IAA 0.2—0.5毫克,BA1—2毫克,蔗糖为3%。诱导生根的培养基为MS,每升附加IAA 0.2—0.5毫克,蔗糖浓度降低为2%。培养室温度为26—28℃,诱导愈伤组织时为暗培养,分化和诱导生根时,荧光灯人工光照,每天10小时,光强为1000lux左右。 相似文献
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党参下胚轴诱导产生愈伤组织并再生植株 总被引:2,自引:0,他引:2
植物名称:党参(Codonopsis pilosula Nann f.)。别名:潞党、辽党等。材料类别:种子在培养基表面发芽以后,将下胚轴切成1.5~2.0毫米左右的小段。培养条件:诱导愈伤组织采用了MS培养基,每升附加2,4-D 0.2毫克;诱导再分化也采用MS培养基,每升附加6-BA 0.2毫克。诱导生根培养基分为两组:(1)MS培养基每升分别附加NAA 0.1、0.2、0.4毫克和1、2、4毫克;(2)培养基MS+6-BA0.2+NAA 0.5+IAA 0.5和MS+6-BA 0.2+NAA 0.5。培养室温度为26~28℃,每天光照10小时,光强度为3000~4000勒克斯。 相似文献
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谷子和狗尾草的幼穗培养 总被引:4,自引:0,他引:4
植物名称:谷子(Setaria italica)和金狗尾草(S.lutescens)。材料类别:幼穗。待幼穗长到长度约为2厘米长时,连同外包的旗叶叶鞘一起切下,用70%乙醇擦叶鞘后,在无菌条件下取出幼穗,切成0.5厘米长的幼穗切段接种。培养条件:MS琼脂培养基,诱导芽形成附加2毫克/升 6-苄基嘌呤(BA),或2毫克/升BA和0.2毫克/升吲哚乙酸(IAA);诱导愈伤组织形成附加2毫克/升2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)和0.2毫克/升激动素(KT)。材料培养在28℃恒温室中,荧光灯人工光照,光强1000lux左右,每天光照10小时。 相似文献
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茄属六种植物的组织培养 总被引:4,自引:0,他引:4
材料类别:子叶、茎尖。下胚轴;植株的茎段、叶柄、叶片等。培养条件:基本培养基为MS,诱导愈伤组织及分化培养基为:1.MS+BA 0.2-1.0;2.MS+BA1+NAA0.5;3.MS+BA2+NAA0.2(单位:毫克/升,下同)。生根培养基即MS或 MS+IAA0.5或NAA 0.1。每天光照10—12小时,光强1000 相似文献
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植物名称:匙叶芋Spathiphyllum sp.材料类别:根茎。培养条件:基本培养基为MS。诱导芽培养基,附加激素:(1) BA 2.0 mg/L(单位下同)+KT1.0,(2) KT0.5+NAA 0.2,(3) BA 0.5+IAA 1.0。芽增殖培养基,附加激素BA 1.0+IAA 0.1。生根培养基,MS减半,蔗糖2%,琼脂0.7%。培养温度25±2℃,每天光照10~12小时,光照强度2000 lx。 相似文献
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植物名称:银合欢(Leucaena leucocephala)的‘依皮尔—依皮尔’(ipil-ipil)品系。材料类别:种子在培养基上长成无菌小苗后,将幼茎截带一个腋芽长0.5—1.0cm茎段作培养。培养条件:培养腋芽培养基用改良的MS(MS中1650mgNH_4NO_3改用741.88mg(NH_4)_2SO_4,总氮量420.32mg,其余元素不变),每升附加 BA1.0mg,NAA 0.01,CH300mg,蔗糖50g。生根培养基:每升附加IBA0.5—1.0mg,蔗糖20g。培养室温度为25±2℃,光强度1000—1500 相似文献
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