电击穿对K562,NS—1和小鼠脾脏细胞存活率的影响

用一系列电融合参数(脉幅2—6kV/cm,脉宽10—90μs)处理K562,NS-1及小鼠脾脏细胞。结果说明,在以上电脉冲范围内,K562细胞的存活率不发生显著变化,其存活率均在80％左右波动。线性回归分析表明,其存活率与脉幅或脉宽变化均无显著相关性。NS-1细胞经脉幅为4kV/cm,脉宽为70μs的电脉冲处理,细胞存活率显著下降,仅为对照细胞的31％,并且细胞存活率与脉幅呈显著性负相关。小鼠脾细胞则在脉宽为50μs,脉幅为2kV/cm的电脉冲处理后,LPS诱导的B淋巴细胞~3H-Tdr掺入明显受到抑制,并且~3H-Tdr掺入与脉幅呈显著性负相关。3种细胞对电击穿的耐受性依次是K562细胞>NS-1细胞>小鼠脾脏B淋巴细胞。根据Zimmer-mann的理论推导,细胞膜电击穿主要与细胞直径有关,细胞直径越大,细胞膜击穿电压所需外加电场越小,反之亦然。然而本实验结果并不符合此规律。本文探讨了影响细胞膜电击穿的其他因素。