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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
(Zn·Cd)S:Ag-KI催化的光合磷酸化
作者姓名:
邵乐喜
高翔
郑祖芳
徐剑
李绥汉
范义积
作者单位:
天水师范高等专科学校 甘肃天水741000(邵乐喜,高翔,郑祖芳,徐剑,李绥汉),上海师大光催化研究室 上海200234(范义积)
摘 要:
以半导体材料(Zn·Cd)S:Ag-KI为催化剂,在普通卤钨灯光照射下,成功地模拟了光合作用的光合磷酸化.文章报导了光强、照光时间、ADP浓度、Pi浓度及催化剂量等对ATP合成的影响.在合适的条件下,ADP浓度为1×10~(-3)mmolL时转化率可达到4-6°.最后有一简单讨论.
关 键 词:
半导体
模拟
光合磷酸化
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