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| 霍山石斛种子试管苗的培养 | |
| 引用本文： | 徐云.霍山石斛种子试管苗的培养[J].植物生理学通讯,1984(4). |
| 作者姓名： | 徐云 |
| 作者单位： | 安徽农学院 合肥 |
| 摘 要： | 植物名称:霍山石斛(Dendrobium tosaense) 材料类别:成熟及未成熟的种子。培养条件:改进的 Knudson培养基(即 FeS-O_4·7H_2改为Na_2ECTA37.3mg和 FeSO_4·7H_2O27.8mg螯合)和改进的MS培养基(即1/2大量元素),pH5.1～5.4,培养温度25±5℃,光照强度20001ux左右,每天照光9～10小时。 |
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