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n‐Si–Organic Inversion Layer Interfaces: A Low Temperature Deposition Method for Forming a p–n Homojunction in n‐Si
Authors:Ann S Erickson  Arava Zohar  David Cahen
Institution:Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science, Rehovot, Israel
Abstract:
Keywords:inversion layers  conducting polymers  solar cells  field‐effect transistors
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