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n‐Si–Organic Inversion Layer Interfaces: A Low Temperature Deposition Method for Forming a p–n Homojunction in n‐Si
Authors:
Ann S Erickson
Arava Zohar
David Cahen
Institution:
Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science, Rehovot, Israel
Abstract:
Keywords:
inversion layers
conducting polymers
solar cells
field‐effect transistors
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