| 硅对镉胁迫下香椿幼苗光合特性和离子吸收的影响 |
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| 作者姓名： | 偶春 程雯慧 王泽璐 沈钟媛 姚侠妹 |
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| 作者单位： | 1. 阜阳师范大学生物与食品工程学院抗衰老中草药安徽省工程技术研究中心;2. 安徽建筑大学建筑与规划学院 |
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| 基金项目： | 安徽省高校自然科学研究重点项目(KJ2020A0519,KJ2020A0456)；;安徽省高校优秀青年人才支持计划项目(gxyq2021197)； |
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| 摘 要： | 为探究硅对镉胁迫下香椿的缓解机制，以香椿幼苗为材料，采用水培法调查施加不同浓度硅(0、0.5、1.0和2.0 mmol·L-1)对镉(200μmol·L-1)胁迫下香椿幼苗的生长指标、渗透平衡、离子吸收、光合特性、抗氧化能力的影响。结果表明：镉胁迫显著抑制香椿幼苗的生长，降低其根系活力、离子含量、光合色素含量、净光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)、蒸腾速率(Tr);而相对电导率、胞间CO2浓度(Ci)、过氧化氢(H2O2)和丙二醛(MDA)含量则显著增加。与单独镉处理相比，施加硅后，香椿幼苗的生长指标、根系活力、铁(Fe2+)、锰(Mn2+)、锌(Zn2+)、铜(Cu2+)离子含量、叶绿素和类胡萝卜素含量以及气体交换参数(除Ci)均显著提高，而镉离子(Cd2+)...
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| 关 键 词： | 香椿 镉胁迫 硅 光合特性 离子含量 |
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