辐射诱变筛选高生长速率的渐狭蜡蚧菌及其生物学特性研究

本试验利用电子束及γ射线两种射线对渐狭蜡蚧菌(Lecanicillium attenuatum)3166进行诱变处理,研究适于渐狭蜡蚧菌诱变选育的吸收剂量以及诱变菌株生物学特性。结果表明：电子束及γ射线诱变渐狭蜡蚧菌的最适剂量均为200 Gy,渐狭蜡蚧菌的电子束辐射敏感性D10值为191 Gy、γ射线D₁₀值为366 Gy;以产孢速率为指标筛选获得突变菌株8株,其中5株的菌丝生长及产孢速率较出发菌株显著提高,均为电子束诱变所得,产孢速率分别较出发菌株提高了30.45%、31.55%、23.66%、64.83%、68.77%;诱变菌株的胞外几丁质酶比活在培养5 d时达到峰值,诱变株Ⅱ111、Ⅱ164、Ⅱ181的几丁质酶比活分别较出发菌株显著提高29.29%、54.45%、19.18%,其中Ⅱ164酶比活可达1 707.41 U/mg prot;胞外蛋白酶比活在培养7 d时达到峰值,Ⅱ111、Ⅱ164、Ⅱ181的蛋白酶比活分别较出发菌株显著提高17.98%、13.17%、16.50%,其中Ⅱ111酶比活达到30.71 U/mg prot,且渐狭蜡蚧菌诱变株生长速率与胞...