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为探究硅对镉胁迫下香椿的缓解机制,以香椿幼苗为材料,采用水培法调查施加不同浓度硅(0、0.5、1.0和2.0 mmol·L-1)对镉(200μmol·L-1)胁迫下香椿幼苗的生长指标、渗透平衡、离子吸收、光合特性、抗氧化能力的影响。结果表明：镉胁迫显著抑制香椿幼苗的生长,降低其根系活力、离子含量、光合色素含量、净光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)、蒸腾速率(Tr);而相对电导率、胞间CO2浓度(Ci)、过氧化氢(H2O2)和丙二醛(MDA)含量则显著增加。与单独镉处理相比,施加硅后,香椿幼苗的生长指标、根系活力、铁(Fe2+)、锰(Mn2+)、锌(Zn2+)、铜(Cu2+)离子含量、叶绿素和类胡萝卜素含量以及气体交换参数(除Ci)均显著提高,而镉离子(Cd2+)... 相似文献
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