镉引起小麦苗逆境乙烯的产生及其和镉的吸收分布的关系

溶液培养小麦幼苗转移至含Cd~(2 )的营养液中,根系乙烯产生较快地增加,约在12h达高峰,然后下降;ACC含量亦呈先升后降的趋势。未和Cd~(2 )溶液直接接触的地上部乙烯亦增加,至36h达高峰,此后急剧下降,而ACG和 MAGC含量持续上升。地上部乙烯的增加,主要是由通过根系运往地上部的镉直接作用的结果,不是根部合成ACG运往地上部后再产生的。电镜观察表明,地上部乙烯产生和ACC含量变化的时间进程,可以与镉进入叶细胞内的部位及其对细胞膜和细胞器的影响相联系。     

水分胁迫对甘蔗叶片线粒体膜流动性的影响及其与膜脂过氧化的关系

用荧光探剂ANS对抗旱性不同的甘蔗品种在水分胁迫下叶片线粒体膜流动性的变化进行的研究表明,水分胁迫降低了线粒体膜的流动性,抗旱性强的甘蔗品种Co 617和F.Y.79-9的下降幅度分别小于抗旱性弱的Co 740和M.T.77-208;水分胁迫下线粒体膜流动性的下降与膜脂过氧化产物丙二醛含量的增加有密切关系。外源自由基处理试验也表明,甘蔗叶片线粒体膜流动性的下降与膜脂过氧化作用有关。     

渗透胁迫对水稻幼苗膜脂过氧化及体内保护系统的影响

两个不同抗旱性的水稻品种对PEG6000渗透胁迫(-0.5MPa,-0.8MPa)的反应具有一定差异。渗透胁迫下SOD,POD和CAT活性及Vc,Car含量与膜脂过氧化水平及膜透性呈一定负相关性,表明这些指标可作为水稻抗旱育种的参考依据。     

镉对烟草光合特性的影响

烟草植株经镉处理后,其叶片光合速率和希尔反应活力受抑制,叶绿素含量、叶绿素α—荧光发射强度和光系统Ⅱ活力下降。     

水分胁迫对小麦叶片光合作用的影响及其与抗旱性的关系

在水分胁迫初期,两个小麦品种叶片光合速率,气孔导度和细胞间隙CO_2浓度降低,气孔限制值增加,光合速率的降低主要是气孔因素的限制。中度到严重水分胁迫使叶片光合速率、气孔导度和气孔限制值降低,细胞间隙CO_2浓度明显增加,且叶圆片放氧能力,叶绿体Hill反应、叶绿素荧光强度和表观量子产额降低,此时光合速率的降低主要是叶肉细胞光合活性的下降引起的。抗旱性弱的郑引一号叶肉细胞光合活性比抗旱性强的丰抗13更容易受到水分胁迫的影响。     

小麦幼苗根系镉螯合素

从经Cd~(2+)处理的小麦幼苗根系中分离得到一种镉结合复合物(Cd-BC)。通过SephadexG75,DEAE-52柱层析纯化,鉴定了此复合物性质:(1)紫外吸收光谱在255～265 tim间有一个“肩”,A_(250)/A_(280)>1;(2)在Sephadex G75柱层析上的表观分子量约为10kD,但在SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳上呈现的条带紧接着前沿,分子量非常小;(3)氨基酸组分分析,约90％的氨基酸残基为Glu/Gln,Cys和Gly,三者比例约为4:4:1。结果说明小麦幼苗根系Cd-BC是寡聚肽,是植物镉螯合素(Cd-PCs)的聚合体。     

盐诱导脯氨酸累积过程中亚胺环己酮的抑制作用

微生物中控制脯氨酸合成的渗透调节基因(osm基因)的转移成功及其抗渗透胁迫能力的提高(Csonka 1980,1981,Le Rudulier和Valentine 1981),启发科学家们把注意力投向高等植物,特别是有经济价值的作物(Bodnar等1989,Nelson等1988,1989,Sanada等1989,Higgins等1987)。采用蛋白质合成抑制剂亚胺环     

水稻高脯氨酸愈伤组织变异体盐胁迫下氨基酸和蛋白质组分的变化

游离氨基酸组分分析表明,水稻培养细胞中谷氨酸和丙氨酸含量很高,占氨基酸总量的４０％。高脯氨酸愈伤组织变异体总游离氨基酸含量比原型高４５．５％,其中脯氨酸增加最多,其次是雨氨酸和谷氨酸。当ＮａＣｌ１００ｍｍｏｌ／Ｌ处理时变异体和原型的总氨基酸都增加,而变异体的增量约为原型增量的３倍。蛋白水解氨基酸组分中变异体和原型各氨基酸的相对含量无大差异。蛋白质双向电泳表明,高脯氨酸变异体的蛋白组分发生变化,明显比原型多４个蛋白点。在ＮａＣｌ１００ｍｍｏｌ／Ｌ处理下原型亦产生５３．３ｋＤ蛋白,变异体中该蛋白的含量变得更多。盐胁迫下变异体和原型的蛋白质组分变化的差异十分显著,主要表现在蛋白质等电点的变化不同。     

甘薯苗期离体叶片对水分胁迫的适应能力（简报）

甘薯苗期离体叶片在水分胁迫下的膜脂过氧化水平与抗旱能力呈明显的负相关。6个品种对水分胁迫适应能力由强到弱依次为：渝薯20、南薯88、宁180、徐薯18、农大红、南丰。在水分胁迫条件下,各品种中游离脯氨酸均有不同程度的积累。积累量与品种适应水分胁迫能力的关系不密切。     

水分胁迫对小麦光系统Ⅱ的影响

水分胁迫可降低小麦叶绿体的室温荧光产量和Ｍｇ２＋ 在两个光系统间的调节能力、叶片的可变荧光产量、可变荧光猝灭速率以及荧光上升互补面积,表明光系统Ⅱ受到了伤害。光系统Ⅱ氧化侧的人工电子供体ＤＰＣ能部分恢复受到抑制的叶绿体可变荧光,说明水分胁迫对光系统Ⅱ的损伤部位不仅位于氧化侧,也可能在反应中心上