乙烯利,GA3对采后番茄果实中乙烯,CaM含量的影响（简报）

用300ppm乙烯利或75ppm GA_3处理绿熟期采收的番茄果实,前者促进而后者减少乙烯释放速率;乙烯利处理的果实采后出现两个CaM高峰,而GA_3处理与对照都出现一个CaM高峰。     

乙烯受体差异性协作与Raf-like蛋白CTR1负调控的乙烯信号转导

以拟南芥为模式植物研究植物激素乙烯信号转导,在过去20年来取得了长足进展,并以遗传学与生物化学为基础建立了一个线性的信号转导途径模型．虽然这个模型基本上解释了乙烯信号组分参与的信号传递过程,但是,其中仍然存在若干问题亟待进一步研究．例如,上游的多个乙烯受体家族成员与CONSTITUTIVETRIPLE—RESPONSE1蛋白如何协同作用,下游的ETHYLENEINsENsITIVE2（EIN2）如何将乙烯信号传递给转录激活因子EIN3,以及是否存在其他的信号途径调控乙烯反应等．本文将着重阐述不同乙烯受体家族成员的协作对乙烯信号途径的差异性调控,植物利用多个乙烯受体感受乙烯的生物学意义,以及乙烯受体除了通过CTR1蛋白调节EIN2功能外,是否还存在其他的信号转导途径．     

甜瓜乙烯应答因子基因在果实发育成熟过程中的表达特性

根据已报道的甜瓜CMe-ERF1和CMe-ERF2基因cDNA序列设计合成特异性引物,应用RT-PCR技术从甜瓜品种‘河套蜜瓜’成熟果实中克隆得到CMe-ERF1和CMe-ERF2基因cDNA全长编码区序列,分别为498bp和822bp.序列比对分析表明,得到的cDNA序列与已报道的Andes甜瓜相应基因的cDNA序列完全一致.果实不同发育时期实时定量PCR检测结果表明,CMe-ERF1、CMe-ERF2基因表达与甜瓜果实成熟及乙烯生成量显著相关,表明该基因可能对果实成熟起重要作用.     

乙烯调控植物耐盐性的研究进展

乙烯具有复杂的生物学功能,它调节着植物生长发育和许多的生理生化过程。乙烯也被认为是一种胁迫应答激素,直到近几年关于乙烯生物合成及信号转导途径与植物盐胁迫的关系才逐渐被挖掘出来。乙烯在不同水平、层次参与盐胁迫反应,包括乙烯合成关键酶(ACS)和乙烯受体,细胞质中CTR1和EIN2以及细胞核中EIN3传导、响应盐信号。但是乙烯合成和信号转导途径在植物盐胁迫响应过程中仍然存在许多未解决的问题。主要介绍乙烯合成及信号转导途径的各组分与盐胁迫关系的最新研究进展,并讨论其存在的主要问题。     

猕猴桃果实乙烯受体基因Ad-ETR1的克隆及其表达

以"布鲁诺"美味猕猴桃(Actinidia deliciosa cv.Bruno)果实为材料,根据其它植物乙烯受体氨基酸保守区序列,设计简并引物,通过RT-PCR扩增出1个657bp大小的cDNA片段(Ad-ETR1)该片段编码219个氨基酸,与其它植物乙烯受体及其基因的氨基酸及核苷酸同源性在72%～90%之间.Northern杂交结果表明,猕猴桃果实成熟衰老进程中Ad-ETR1 mRNA的积累趋于增加.这种积累的最大值出现在乙烯进入跃变之后;乙烯处理可以促使Ad-ETR1 mRNA最大值提前出现,乙酰水杨酸(ASA)处理则显著抑制Ad-ETR1表达.     

低乙烯减压处理对柿果实乙烯生物合成的影响

在 1 0℃± 1℃的条件下 ,研究了低乙烯减压处理对火柿采后乙烯生物合成的影响。结果表明 ,低乙烯减压处理使火柿 ACC含量降低 ,EFE活性减弱 ,从而显著抑制了乙烯的产生 ,延迟了乙烯峰出现的时间。该处理能显著延缓火柿硬度的下降。     

缺硼对棉花 黄瓜和油菜乙烯释放的影响

本试验通过水培和土培试验的方法,研究了缺硼对棉花、油菜和黄瓜乙烯释放的影响。结果表明：缺硼条件下,棉花、黄瓜乙烯释放量显著增加,而油菜无论缺硼和正常硼条件下,乙烯释放量较低且没有明显差异,乙烯释放量的增加对棉花和黄瓜的生长发育有抑制作用;喷施乙烯合成抑制剂和乙烯生理效应抑制剂在一定程度上能减轻棉花和黄瓜的缺硼症状。黄瓜水培结果表明：在黄瓜缺硼症状出现前,乙烯释放量没有明显增加,随着缺硼时间的延长,缺硼症状的出现,乙烯释放量显著增加,因而乙烯释放量的增加不是缺硼导致黄瓜生理失调的直接反应。     

缺硼对棉花、黄瓜和油菜乙烯释放的影响

本试验通过水培和土培试验的方法,研究了缺硼对棉花、油菜和黄瓜乙烯释放的影响。结果表明：缺硼条件下,棉花、黄瓜乙烯释放量显著增加,而油菜无论缺硼和正常硼条件下,乙烯释放量较低且没有明显差异,乙烯释放量的增加对棉花和黄瓜的生长发育有抑制作用;喷施乙烯合成抑制剂和乙烯生理效应抑制剂在一定程度上能减轻棉花和黄瓜的缺硼症状。黄瓜水培结果表明：在黄瓜缺硼症状出现前,乙烯释放量没有明显增加,随着缺硼时间的延长,缺硼症状的出现,乙烯释放量显著增加,因而乙烯释放量的增加不是缺硼导致黄瓜生理失调的直接反应。