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不同离子辐照对离体质粒DNA损伤与转化活性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
利用 30Kev的N+ 、Ar+ 离子辐照离体质粒DNA ,分析了不同离子对DNA单双链断裂及转化活性的影响。结果表明 :N+ 、Ar+ 离子辐照均可引起质粒DNA单双链断裂和转化活性的变化 ,且随着辐照剂量的增加 ,单双链断裂频率增加 ,转化活性下降。Ar+对离体质粒DNA比N+ 具有更强的单双链断裂效应 ,且从 9× 10 15Ar+ cm2 剂量开始 ,质粒可完全丧失转化活性。质粒转化活性的大小与DNA单双链断裂频率呈正相关 相似文献
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为了证明DNA双链断裂(DSB)片段分布与DNA序列有关的假设,采用32keV/μm的^12C^6 离子和45ke V/μm的^13C^6 离子分别辐照pUCl8质粒,结合限制性内切酶处理,进行琼脂糖凝胶电泳,分析DNA断裂和片段分布。结果表明,除了由一个DSB导致的线性DNA带外,还出现了一条新的、小分子量线性DNA带;限制性内切酶处理后,有另一条线性DNA带产生。证明重离子辐照诱导的DSB是非随机分布的,DNA分子上存在对电离辐射相对敏感的位点。 相似文献
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低功率He-Ne激光照射引起细胞膜电位的改变,为激光照射治疗提供理论依据。方法不同能量密度的He-Ne激光照射离体在噬细胞,用图像分析系统检测Cyanine荧光染色的巨噬细胞膜电位的变化。 相似文献
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目的:研究He-Ne激光照射鼠巨噬细胞对线粒体跨膜电势的影响,及其与激光剂量的关系。方法:用亲脂性阳离子荧光染料Rhodamine123对鼠巨噬细胞线粒体作荧光标记,以不同的激光剂量照射,采用图像分析系统(IAS)和荧光显微镜观察线粒体跨膜电势荧光强度的变化。结果:低功率He-Ne激光照射5,10,15min,激光剂量分别为0.649,1.388和2.082J/cm^2,巨噬细胞线粒体跨膜电势荧光 相似文献
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当蚕豆的胚被 He- Ne激光 (632 .8nm,1 .63J· mm- 2 )照射 5min或被 CO2 激光 (1 0 60nm,2 .53J· mm- 2 )照射 1 min后 ,将其置入 Knop营养液中进行恒温培养。当蚕豆的上胚轴长到大约 3cm时 ,在光背景 (PAR)为 70μmol· m- 2 · s- 1条件下 ,分别用 1 .0 2、3.0 3、4.52 k J· m- 2 的 UV- B辐射蚕豆的上胚轴 7h。根据蚕豆丙二醛 (MDA)、抗坏血酸 (As A)和 UV- B吸收物的含量变化 ,来测试激光对 UV- B照射蚕豆的上胚轴的保护作用。结果显示 :激光预处理可保护蚕豆上胚轴对 UV- B辐射的作用。与对照组 (没有用 UV- B或激光照射 )、UV- B单独照射组比较 ,在激光预处理的条件下 ,MDA的含量明显减少 ,As A和 UV- B吸收化合物的含量增加。如先用激光处理 ,然后再用 UV- B辐射 ,UV- B吸收物的含量将比单独用激光和 UV-B处理获得更好的改善。从而认为 ,激光预处理能增强植物对 UV- B的抵抗力。 相似文献
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He—Ne激光诱变白细胞DNA的拉曼光谱研究 总被引:5,自引:0,他引:5
报道了He—Ne激光对白细胞DNA诱变的拉曼光谱研究。He—Ne激光辐射前,白细胞DNA主链振动区域出现二条强的A,C构型特征线812cm-1和872cm-1,以及弱的B型语线1092cm-1。辐射后,A型特征线812cm-1消失,代之是与B型结构有关的二条强的语线800cm-1和1090cm-1。试验结果表明,He—Ne激光可诱变DNA构型(AM-B型)。在碱基振动区域,辐射前其拉曼谱出现强而宽的C=0伸长振动谱线1680cm-1,这是与酮基结构有关的谱线,辐射后该谱线强度大大减弱。实验结果提示,He一Ne激光有可能使碱基发生互变异构。 相似文献
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DNA双链断裂损伤反应及它的医学意义 总被引:2,自引:0,他引:2
DNA损伤应激反应是维持基因组稳定性的基石.细胞在长期进化中形成了由损伤监视、周期调控、损伤修复、凋亡诱导等在内的自稳平衡机制.一方面,借助感应、识别并启动精细而复杂的修复机制修复损伤;另一方面,通过DNA损伤应激活化的细胞周期检查点机制,延迟或阻断细胞周期进程,为损伤修复提供时间,使细胞能安全进入新一轮细胞周期;损伤无法修复时则诱导细胞凋亡.DNA双链断裂(double strand breaks,DSBs)是真核基因组后果最严重的损伤类型之一,其修复不利,同肿瘤等人类疾病的发生发展密切相关.新进展揭示:DSBs损伤反应信号分子ATM-Chk2-p53、H2AX等的组成性活化,是肿瘤形成早期所激活的细胞内可诱导的抗癌屏障,其信号网络的精确、精细调控在基因组稳定性维持中发挥重要作用.此外,HIV病毒整合进入宿主细胞基因组的过程也依赖于宿主细胞中ATM介导的DSBs损伤反应信号转导;ATM特异性的小分子抑制剂在抗HIV感染中显示重要的功能意义.文中重点讨论调控DSBs损伤应激反应信号网络的主要研究进展,及其在肿瘤发生、发展及抗HIV感染中的新医学意义. 相似文献
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SMU1是一个与细胞基因组复制和RNA剪切过程相关的新基因。该研究为进一步调查SMU1对细胞增殖及DNA双链断裂(DNAdouble—strand breaks,DNADSBs)损伤应答的影响,设计合成针对SMU1基因的小分子siRNA,并与对照siRNA(scramblel分别转染HEK293T或U2OS细胞。通过免疫印迹(Westernblot)检测证实,siSMU1转染细胞中SMU1的表达显著下降,采用台盼蓝染色细胞计数检测显示,SMU1表达下调显著降低细胞增殖能力。免疫荧光和免疫印迹法检测结果表明,SMU1表达下调显著增加细胞内源性DSBs损伤(7H2AXfoci和蛋白水平均升高);而进一步用X-ray处理细胞造成外源性DSBs损伤后,SMUI沉默细胞显示出延长的DSBs损伤修复动力学(减缓的γH2AXfoci和蛋白水平消退)。以上结果提示,SMU1在细胞DSBs损伤修复反应中扮演重要角色,积极参与细胞基因纽完整性的维持。 相似文献
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应用细胞内生物电记录技术 ,观测不同功率、不同照射时间的 He- Ne激光 (脉冲频率 1Hz)对大鼠离体颈上神经节后神经元快兴奋性突触后电位 (f- EPSP)期间膜电导的影响。功率密度为 2 m W/ cm2 的 He- Ne激光在照射初期 (1min~ 2 min)引起快兴奋性突触后电位 (f- EPSP)幅值增大 ,同时膜电导增大 ;而在激光照射后期 (后 3m in~8m in)引起节后神经元膜电导减少。功率密度为 5 m W/ cm2 的 He- Ne激光照射期膜电导无明显变化 .结果表明 :功率密度为 2 m W/ cm2 的 He- Ne激光照射初期引起膜电导 (Gl=34.6± 5 .4 n S)较照射前 (Gf=2 6 .8± 6 .2 n S)有明显增大 (P<0 .0 5 ) ,照射后期膜电导减少。提示 :He- Ne激光照射可能是通过两时相效应改变节后神经元膜电导来影响交感神经节内兴奋传递过程。这可能是低功率激光对神经细胞的一种作用机制。 相似文献
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本文以离体培养的Raji细胞为材料,采用ELLMAN方法检测了不同剂量的He-Ne激光对Raji细胞膜表面SH含量的影响。发现0.5J/cm^2He-Ne激光能量可明显增加膜表面SH含量(P〈0.05)。大于或小于此剂量的He-Ne激光对膜表面SH含量的影响均不明显(P〉0.05)。提示0.5J/cm^2的激光能量对膜有刺激作用。 相似文献
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碳离子诱导的DNA双链断裂 总被引:6,自引:2,他引:6
DNA双链断裂(DSBs)是电离辐射诱导的最重要的原发损伤,研究DSBs有利于揭示细胞辐射敏感性的机理。用倒转脉冲场凝胶电泳结合荧光扫描进行DNA定量研究75MeV/u12C6+对小鼠B16黑色素瘤细胞DSBs的诱导,结果表明:DSBs产额约为0.74DSBs/100Mbp/Gy;DNA片段分布在两个区域。大片段区分子量约为1.4Mbp~3.2Mbp,分子量小于1.2Mbp的为小片段区;并且随着剂量的增加,大片段区DNA含量逐渐下降,而小片段区的DNA含量显著增加。表明B16DNA分子上可能存在对重离子较为敏感的位点。 相似文献