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| 外源硅对纹枯病菌(Rhizoctonia solani)侵染下水稻叶片光合功能的改善 | |
| 引用本文： | 张国良,戴其根,霍中洋,陈文军,王显,许轲,孙国荣,张军,刘健,张洪程.外源硅对纹枯病菌(Rhizoctonia solani)侵染下水稻叶片光合功能的改善[J].生态学报,2008,28(10):4881-4890. |
| 作者姓名： | 张国良 戴其根 霍中洋 陈文军 王显 许轲 孙国荣 张军 刘健 张洪程 |
| 作者单位： | 1. 扬州大学,江苏省作物遗传生理重点实验室,扬州225009;淮阴工学院,生命科学与化学工程学院,淮安223001 2. 扬州大学,江苏省作物遗传生理重点实验室,扬州225009 3. 淮阴工学院,生命科学与化学工程学院,淮安223001 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家科技支撑计划重大项目，江苏省高校自然科学基金，江苏省高校青蓝工程优秀青年骨干教师资助项目，江苏省自然科学基金 |
| 摘 要： | 为了进一步探讨外源加硅增强水稻对纹枯病的抗性作用，以抗病品种91SP和感病品种Lemont为材料，研究了人工接种纹枯病菌条件下外源硅对水稻叶片叶绿素含量、光合作用、叶绿素荧光特性和MDA含量的影响。结果表明：（1）外源加硅能降低抗病品种91SP的纹枯病病级和病情指数，显著降低感病品种Lemont的病级和病情指数；（2）接种纹枯病菌后，水稻叶片叶绿素含量、净光合速率（Pn）、气孔导度（Gs）均明显降低，胞间CO2浓度（Ci）增大，而加硅处理的水稻叶片叶绿素含量、Pn、Gs不同程度增加，Ci有所降低；（3）接种纹枯病菌后，两个品种PSⅡ最大光化学效率（Fv／Fm）、PSⅡ有效光化学效率（Fv＇／Fm＇）、PSⅡ实际光化学效率（ФPSⅡ）、光化学猝灭系数（qP）和表观光合电子传递速率（ETR）均降低，非光化学猝灭系数（qNP）增大，而对于加硅处理的水稻叶片，上述荧光参数在纹枯病菌侵染条件下的变化均受到不同程度的抑制。（4）外源硅可不同程度地减缓纹枯病菌侵染引起的丙二醛（MDA）含量的增加，对感病品种Lemont的缓解作用要大于抗病品种91SP。可见，外源硅处理可以不同程度地缓解纹枯病菌侵染条件下非气孔因素引起的水稻叶片光合速率的下降以及对光合机构的破坏作用，提高光化学效率，改善叶片的光合功能，减轻叶片膜脂过氧化程度，增强水稻对纹枯病的抗性。 |
| 关 键 词： | 外源硅 纹枯病菌（Rhizoctonia solani） 水稻 光合作用 荧光参数 MDA含量 |
| 收稿时间： | 2008/2/21 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2008/5/14 0:00:00 |
Exogenous application of sodium silicate improves the resistance of rice photosynthesis to Rhizoctonia solani infection |
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| ZHANG Guo-Liang,DAI Qi-Gen,HUO Zhong-Yang,CHEN Wen-Jun,WANG Xian,XU Ke,SUN Guo-Rong,ZHANG Jun,LIU Jian,ZHANG Hong-Cheng.Exogenous application of sodium silicate improves the resistance of rice photosynthesis to Rhizoctonia solani infection[J].Acta Ecologica Sinica,2008,28(10):4881-4890. | |
| Authors: | ZHANG Guo-Liang DAI Qi-Gen HUO Zhong-Yang CHEN Wen-Jun WANG Xian XU Ke SUN Guo-Rong ZHANG Jun LIU Jian ZHANG Hong-Cheng |
| Abstract: | |
| Keywords: | silicon Rhizoctonia solani rice photosynthesis fluorescence parameters MDA content |
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