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| 外源硅对自毒作用下黄瓜幼苗生长及光合特性的影响 | |
| 引用本文： | 孟 鑫,郁继华,颉建明,罗石磊,刘 娜,谢言东,李 晶,吕 剑.外源硅对自毒作用下黄瓜幼苗生长及光合特性的影响[J].西北植物学报,2020,40(10):1688-1697. |
| 作者姓名： | 孟 鑫 郁继华 颉建明 罗石磊 刘 娜 谢言东 李 晶 吕 剑 |
| 作者单位： | (甘肃农业大学 园艺学院，兰州 730070) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(31660584)； |
| 摘 要： | 以‘绿博6号’黄瓜幼苗为试材，采用营养液培法研究不同浓度外源硅(0、0.5、1.0、1.5和2.0 mmol/L)对肉桂酸(cinnamic acid，CA)模拟自毒胁迫(3.0 mmol/L CA)下黄瓜幼苗生长、光合参数和叶绿素荧光参数的影响。结果表明：(1)自毒胁迫显著抑制了黄瓜幼苗的生长、根系形态建成和生物量的积累，显著降低了净光合速率(Pn)、蒸腾速率(Tr)、气孔导度(Gs)和叶绿素(Chl a、Chl b和Chl t)含量，并显著降低了叶片中PSⅡ的电子传递速率(ETR)、PSⅡ实际光化学效率［Y(Ⅱ)］和光化学淬灭系数(qP)。(2)添加适宜浓度外源硅可有效缓解自毒胁迫对黄瓜幼苗生长的影响，并提高其Pn、Gs、Tr和叶绿素含量，在一定程度上维持叶片光合系统的稳定。(3)添加适宜浓度外源硅能使自毒胁迫下黄瓜叶片的Fv/Fm、ETR、Y(Ⅱ)和qP显著升高，而非光化学淬灭系数(NPQ)则显著下降。研究发现，添加适宜浓度外源硅能提高自毒胁迫下黄瓜幼苗的叶绿素含量、Fv/Fm、ETR、Y(Ⅱ)和qP，使光合机构趋于稳定，抑制Pn的下降，缓解自毒胁迫对光合系统的损伤，从而增强黄瓜幼苗对自毒胁迫的抗性，并以1.0 mmol/L外源硅处理的效果最佳。 |
| 关 键 词： | 黄瓜幼苗 光合作用 叶绿素 外源硅 自毒胁迫 叶绿素荧光 |
Effect of Exogenous Silicon on Growth and Photosynthetic Fluorescence Characteristics of Cucumber Seedlings under Autotoxicity |
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| Abstract: | |
| Keywords: | cucumber seedlings photosynthesis chlorophyll silicon autotoxicity chlorophyll fluorescence |
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