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低能钒离子注入花生种子的深度分布
引用本文:王超,陆挺,汪新福,周宏余,朱光华.低能钒离子注入花生种子的深度分布[J].生物物理学报,2001,17(2):351-355.
作者姓名:王超  陆挺  汪新福  周宏余  朱光华
作者单位:北京师范大学低能核物理所,
基金项目:国家自然科学基金重大课题(19890300)和北京市科技院萌芽计划
摘    要:采用鼎瑟福背散射(RBS)和X射线能谱分析法(EDAX)对V元素在花生种子中的深度分布进行了测量,并用扫描电镜对注入前后花生种胚的形貌变化进行观察。结果表明,由于样品表面较粗糙以及其特殊结构,RBS方法不适于测量钒在花生肿胚中的深度分布,trim95也不适合于对注入钒离子在花生种子中的深度进行模拟,而EDAX的测量结果表明V离子的穿透深度可达到15μm。另外,注入前后花生种胚的形貌发生了显著变化。

关 键 词:低能钒离子注入  花生种胚  卢瑟福背散射RBS  深度分布  种子
文章编号:1000-6737(2001)02-0351-05
修稿时间:2000年8月24日

PENETRATION DEPTH OF IMPLANTED V~+ WITH LOW ENERGY IN PEANUT EMBRYO
WANG Chao,LU Ting,WANG Xin-fu,ZHOU Hong-yu,ZHU Guang-hua.PENETRATION DEPTH OF IMPLANTED V~+ WITH LOW ENERGY IN PEANUT EMBRYO[J].Acta Biophysica Sinica,2001,17(2):351-355.
Authors:WANG Chao  LU Ting  WANG Xin-fu  ZHOU Hong-yu  ZHU Guang-hua
Abstract:
Keywords:Ion implantation  Depth distribution  Peanut embryo  Morphology
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