GA20x8基因过量表达诱导蓝光下拟南芥光形态建成

检测不同光照强度蓝光下，过量表达GA20x8基因的转基因植株光形态建成表型的结果表明，突变体比各自的母本的下胚轴短，茎尖角度和子叶张开度较大，花青素和叶绿素的含量较高，并且其差异与GA20x8基因的表达量呈正相关。RT—PCR检测光调节基因表达水平的结果显示，暗培养条件下其突变体幼苗中的水平比各自的母本高，蓝光下35S：：GFP—GA20x8-1，35S：：GFP—GA20x8—8与母本col-4之间差异不明显，但scc7-D中的水平比母本crylcry2高。这似乎说明，GA20x8基因过量表达可诱导蓝光下拟南芥幼苗光形态建成。