工频磁场急性暴露对PC12细胞生长和凋亡的影响

将体外传代培养的PC12细胞,经50 Hz、100μT的工频磁场暴露24 h。采用噻唑蓝比色法检测细胞增殖活力,流式细胞术检测细胞周期,吖啶橙/溴化乙锭免疫荧光双染色法检测细胞凋亡。结果表明:1)细胞增殖活力于磁场暴露终止后0 h明显下降(P<0.01);4 h未见著变;8 h(P<0.05)和12 h(P<0.01)显著升高。2)磁场暴露终止后0 h,G0/G1期细胞百分比显著增高(P<0.01),S期细胞百分比显著下降(P<0.05);6 h的G2/M期细胞百分比显著增高(P<0.05);12 h的G0/G1期细胞百分比明显下降(P<0.01),S期细胞百分比显著升高(P<0.05);24 h未见著变。3)磁场暴露期间,6 h细胞凋亡率未见显著改变,12、18和24 h凋亡明显增加,至暴露终止后4、8、12和24 h均显著升高,未见恢复。以上结果说明50 Hz、100μT的工频磁场急性暴露,可导致PC12细胞周期和增殖活力的改变,以及细胞凋亡增多。