外周伤害性刺激诱导大鼠脑干内延髓网状背侧亚核传入投入神经元的c—fos表达 |
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作者姓名: | 高永静 凌树才 |
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作者单位: | 南通医学院神经生物学研究室,南通226001 |
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摘 要: | 用荧光金逆行追踪和FOS荧光免疫组织化学染色相结合的方法对外周伤害性刺激下大鼠脑干内向延髓网状背侧亚核传入投射的神经元中c-fos的表达进行了研究,在麻醉状况下将0.15μl2%荧光金注入大鼠单侧延髓网状背侧亚核,存活5d后用1%福尔马林刺激同侧前爪、后爪和口周,2h后灌注取材,再行FOS免疫荧光标记。结果发现在脑的中脑导水管周围灰质、中缝背核、线形核和中缝大核内观察到荧光金记细胞、FOS样免疫阳性反应细胞及荧光金/FOS双标细胞。在这四个核团中,双标细胞数分别占荧光金逆标神经元数的25%(中脑导水管周围灰质)、11.7%(中缝背核)、8.9%(线形核)和12.1%(中缝大核)。结果提示在脑干向延髓网状背侧亚核投射的神经元中,有一部分与外周伤害性刺激信息的调控有关,还有的神经元可能具有其它的功能。
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关 键 词: | 外周伤害性刺激 大鼠 脑干 延髓网状背侧亚核 传入投入神经元 c-fos 表达 |
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