血影内Th~(3+)在脉冲电场作用下外渗的动态研究 |
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引用本文: | 孔克健,刘缨,张锦珠.血影内Th~(3+)在脉冲电场作用下外渗的动态研究[J].生物物理学报,1994(1). |
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作者姓名: | 孔克健 刘缨 张锦珠 |
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作者单位: | 中国科学院生物物理研究所细胞生物物理研究室 |
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摘 要: | 利用改进后的Tb/DPA荧光方法对在脉冲电场作用下人血影内Tb离子外渗的动力学过程进行了系统的研究。对不同场强和脉宽的电场处理的离子外渗量与时间的关系和电穿孔总面积随时间的变化进行了测量。结果表明,离子外渗的主要方式是由膜两侧浓度梯度导致的离子自由扩散。当脉冲宽度或强度两者之一给定的情况下,均存在临界场强和临界脉宽,在临界点以上电场作用下,膜上出现明显的电穿孔。在实验条件下,电穿孔的面积在200-300ms时达最大值,孔的面积和扩展速度与电场参数有关。临界点以下电场处理后,虽仍能测出离子的外渗,膜上可能未出现明显的电穿孔。
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关 键 词: | 电穿孔 离子外渗 血影 |
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