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具超强汞富集能力基因工程菌生长情况的研究
引用本文:邓旭,李清彪,孙道华,黄益丽,王琳.具超强汞富集能力基因工程菌生长情况的研究[J].工业微生物,2003,33(3):11-15.
作者姓名:邓旭  李清彪  孙道华  黄益丽  王琳
作者单位:厦门大学化工系,厦门,361005
基金项目:教育部优秀青年教师资助计划资助
摘    要:对具超强汞富集能力的基因工程菌在重金属汞离子存在的水体中的生长状况进行了研究。实验所采用的基因工程菌由于外源基因的表达而对Hg^2 产生了一定的耐受力,而且这种耐受力经IPTG诱导后还能得到进一步的增强,耐受能力从Hg^2 浓度5mg/L提高到15mg/L。IPTG加入的时机对菌体的生长和耐受力的有效诱导是重要的。一般在OD600为0.5~0.8时加入,且加入后还应保证2h左右的诱导时间。实验结果还表明菌体在生长过程中对碳源的要求很低。

关 键 词:富集能力  基因工程菌  生长情况  重金属废水  细菌培养

Studies on growth situations of Hg-superaccumulating recombinant E.coli in heavy metal wastewater
DENG Xu,LI Qing biao,SUN Dao hua,HUANG Yi li,WANG Lin.Studies on growth situations of Hg-superaccumulating recombinant E.coli in heavy metal wastewater[J].Industrial Microbiology,2003,33(3):11-15.
Authors:DENG Xu  LI Qing biao  SUN Dao hua  HUANG Yi li  WANG Lin
Abstract:
Keywords:recombinant bacteria  heavy metal wastewater  bacteria culture
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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