大豆的电离辐射诱发突变

本文主要探讨不同剂量对大豆诱发突变的作用,突变的多样性及其在育种工作中的意义。试验使用了14个品种与14个杂交第一代,三种射线,12个剂量。 试验结果表明:大豆电离辐射剂量,12—14千伦较为适宜,超过15千伦,成活株数过少,对选择有利突变不利。在电离辐射影响下,花粉母细胞的减数分裂出现染色体数目变化、落后染色体、染色体断片、染色体粘连、不均等分裂以及在四分期出现多余小核与小花粉粒等异常现象。辐射引起性状的变异是十分复杂的,有的性状是相关的,其中出现一些值得注意的有利突变,如早熟、矮秆抗倒伏、短果枝、长花序、含油量增高及雄花不育等,对育成高产、耐密新品种具有一定的意义。