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外周伤害性刺激诱导大鼠脑干内延髓网状背侧亚核传入投入神经元的c—fos表达 总被引:2,自引:0,他引:2
用荧光金逆行追踪和FOS荧光免疫组织化学染色相结合的方法对外周伤害性刺激下大鼠脑干内向延髓网状背侧亚核传入投射的神经元中c-fos的表达进行了研究,在麻醉状况下将0.15μl2%荧光金注入大鼠单侧延髓网状背侧亚核,存活5d后用1%福尔马林刺激同侧前爪、后爪和口周,2h后灌注取材,再行FOS免疫荧光标记。结果发现在脑的中脑导水管周围灰质、中缝背核、线形核和中缝大核内观察到荧光金记细胞、FOS样免疫阳性反应细胞及荧光金/FOS双标细胞。在这四个核团中,双标细胞数分别占荧光金逆标神经元数的25%(中脑导水管周围灰质)、11.7%(中缝背核)、8.9%(线形核)和12.1%(中缝大核)。结果提示在脑干向延髓网状背侧亚核投射的神经元中,有一部分与外周伤害性刺激信息的调控有关,还有的神经元可能具有其它的功能。 相似文献
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介绍了植Ⅰ型智能温室计算机自动控制系统的实施方案。该方案设置了31个传感器、16路监视单元和45路控制执行机构。自控的分析和应答可在单板机和中心控制软件两个层次上实现。根据上海的地理位置,夏季防止温度过高是该方案考虑解决的主要工况。 相似文献
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采用TUNEL染色及免疫组织化学技术对光化学法脑缺血后细胞凋亡及其相关基因bcl-2表达的变化进行了研究。结果发现,缺血后12h,损伤侧皮层缺血区内凋亡细胞数及bcl-2免疫反应阳性细胞数明显增加,一直持续至缺血后72h;并呈现下列时程变化:在缺血后3h每张切片上几乎无凋亡细胞出现,以后逐渐增加,缺血后12h达到峰值,缺血后24h和缺血后72h逐渐减少,但仍高于假手术组水平。凋亡相关基因bcl-2的表达在缺血后3h以前不明显,缺血后12h逐渐增加,缺血后24h最多,以后逐渐下降。上述结果提示,缺血后凋亡细胞的时程变化可能与缺血后梗塞灶的发生和发展有关,而bcl-2表达的变化可能与抑制细胞凋亡、发挥内源性细胞保护作用有关。 相似文献