首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7篇
  免费   1篇
  2000年   1篇
  1997年   2篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
  1994年   1篇
  1993年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
静电场对苜蓿愈伤组织抗寒能力的影响   总被引:16,自引:0,他引:16  
用正负高压静电场 (HVEF)处理苜蓿叶片来源的愈伤组织后 ,在4℃下暗培养。我们发现静电场处理可不同程度地提高愈伤组织的淀粉酶 ,过氧化物酶 ,和超氧化物岐化酶的活性和可溶性蛋白的含量 ,促进愈伤组织对冷害的防御能力。在冷处理过程中 ,细胞膜中饱和脂肪酸 (棕榈梭和硬脂酸 )和不饱和脂肪梭含量先升高然后降低 ,而高压静电场处理组的不饱和脂肪酸 (油酸、亚油酸、α -亚麻酸、β-亚麻酸 )含量高于对照组 ,脂肪酸不饱和指数 (UIFA)也高于对照组 ,这说明静电场处理可促进愈伤组织细胞抗寒能力提高。此外 ,丙二醛 (MDA)含量在静电场处理组低于对照组的测定结果也验证了前面的结果。  相似文献   
2.
高压静电场(HVEF)对人参生长及土壤化学性质的影响   总被引:11,自引:3,他引:8  
对人参植株施以一定强度的高压静电场(HVEF),在一个生长季节里,使人参增产12.6%.皂甙含量提高2.31%,人参中无机元素的含量明显提高,土壤中无机元素含量相应下降.这表明人工施加的正高压静电场可促进人参对土壤中无机无素的吸收及人参产量和质量的提高.  相似文献   
3.
高压静电场(HVEF)对大豆种子吸胀冷害的影响   总被引:21,自引:3,他引:18  
高压静电场预处理可不同程度地提高大豆种子抗低温吸胀冷害的能力,处理组种子在低温吸胀时无机离子,可溶性糖和可溶性蛋白的外渗量显著低于对照组,静电场预处理还提高了种子中过氧化氢酶(简CAT)、过氧化物酶(简POD)、超氧物歧化酶(简SOD)等清除自由基的酶活性,降低了丙二醛(简MDA)的积累,促进了种子代谢水平,即提高了种子的淀粉酶、脱氢酶的活力和可溶性蛋白含量,最终提高了发芽率。本文以膜的相变和损伤  相似文献   
4.
高压静电场(HVEF)预处理种子对大豆幼苗抗冷害的影响   总被引:21,自引:0,他引:21  
高压静电场预处理大豆种子不但提高了大豆种子抗低温吸胀冷害的能力,而且影响到子叶期到第一真叶期幼苗的抗低温胁迫的能力。处理组幼苗在2-4°C低温胁迫下比对照组有较高的过氧化物酶(POD),过氧化氢酶(CAT)及超氧化物歧化酶(SOD),淀粉酶(AML)的活力,预处理还降低了幼苗子叶中丙二醛(MDA)的积累量和电解质渗漏。从可溶性蛋白质含量的变化也显示出处理组幼苗较对照组幼苗抗冷害能力有了提高。本文从自由基伤害学说的角度作了探讨  相似文献   
5.
高压静电场(HVEF)对苜蓿叶片愈伤组织诱导的影响   总被引:16,自引:3,他引:13  
用一定强度的负高压静电场处理苜蓿叶片外值体,可显著促进外植体愈伤组织的发生和形成。处理组叶片愈伤化进程比对照组提前二天,愈伤组织诱导率平均提高了36%,愈伤组织鲜重增长率提高了33%,而且形成的愈伤组织质量较高。生理生化分析显示:静电场处理使愈伤组织诱导过程中培养物的可溶性蛋白质含量较对照高,且峰值来临较早;过氧化物酶(POD),淀粉酶(Amylase简称AML),超氧物歧化酶(SOD)活性和峰值也较对照组有不同程度的提高和提前,与观察结果一致。本文对其作用机理做了初步探讨。  相似文献   
6.
静电场对植物光合器官结构和功能变化的影响   总被引:9,自引:0,他引:9  
静电场促进水萝卜对矿质元素的吸收,叶片光合色素的含量及光合、呼吸活性增加,使叶片光合细胞的数目、细胞中叶绿体数目、叶绿体中基粒及类囊体片尾数都趋增加。结果表明,先合结构及活性的改善与静电场促进植物的离子吸收有关,从而改善了植物的营养状况。  相似文献   
7.
高压静电场(HVEF)对苜蓿叶片愈伤组织增殖的影响   总被引:16,自引:1,他引:15  
苜蓿叶片来源的愈伤组织经一定的高压静电场处理后生长速率显著高于对照组,而且处理组愈伤组织的呼吸速率,元素吸收速率也高于对照组。进一步的测定结果比较表明:静电场处理组的愈伤组织中可溶性蛋白质含量、蔗糖酶活性高于对照组;而IAA氧化酶和RNA水解酶活性则低于对照组。显示静电场处理组愈伤组织有较高的代谢水平和旺盛的分裂生长状态。探讨了静电场处理剌激愈伤组织增殖的可能机理  相似文献   
8.
高压静电场促进植物吸收离子机理的初步探讨   总被引:15,自引:0,他引:15       下载免费PDF全文
高压静电场下盆栽水萝卜、使用含 32P培养液和由8种无机离子组成的培养液,测试 32P的放射强度分布和8种无机元素的分布,结果在土壤和培养液上层 32P的放射强度分别比对照高15.19%和63.73%,下层分别比对照低18.39%和29.05%.静电场下生长在含 32P土壤中的水萝卜叶片中 32P放射强度比对照高66.57%,而根部较对照低8.27%.在静电场作用下,培养液中无机离子向电场的正极方向移动(上层),而对照呈相反的分布趋势.这说明静电场促进植物对离子的吸收是与静电场作用下的离子移动有关.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号