低能钒离子注入花生种子的深度分布

采用鼎瑟福背散射（RBS）和X射线能谱分析法（EDAX）对V元素在花生种子中的深度分布进行了测量,并用扫描电镜对注入前后花生种胚的形貌变化进行观察。结果表明,由于样品表面较粗糙以及其特殊结构,RBS方法不适于测量钒在花生肿胚中的深度分布,trim95也不适合于对注入钒离子在花生种子中的深度进行模拟,而EDAX的测量结果表明V离子的穿透深度可达到15μm。另外,注入前后花生种胚的形貌发生了显著变化。