AMD3100对局灶脑缺血/再灌注大鼠大脑皮质血管再生的影响

目的探讨AMD3100阻断SDF-1/CXCR4轴后,对局灶脑缺血/再灌注大鼠缺血半暗带血管再生的影响。方法将SD大鼠随机分为假手术组(S组)、模型组(IR组)、AMD3100组(IRA组)、生理盐水组(IRN组)。采用线栓法制备大鼠局灶脑缺血/再灌注模型,缺血2h后将IR、IRA和IRN组分为再灌注12h,1、3和7d四个亚组。HE染色观察局灶脑缺血/再灌注后大脑皮质病理变化。免疫组化法检测CD31在缺血半暗带表达。荧光定量PCR检测外周血中AC133mRNA表达。结果与IRN组比较,IRA 12h外周血中AC133mRNA显著升高,第1d升高达峰值(P0.01),IRA 3dAC133mRNA表达比IRA1d显著减少(P0.05);与IRN组比较,IRA组CD31阳性血管密度在第1d无显著变化(P0.05),第3和7d血管密度显著减少(P0.01);IRA 7d梗死区由大量坏死神经细胞和泡沫细胞填充,坏死较严重。结论持续注射AMD3100能动员干/祖细胞快速进入外周血,但可能抑制局灶脑缺血/再灌注大鼠缺血半暗带血管再生,加重梗死区坏死。     

电针对局灶脑缺血／再灌注模型大鼠缺血海马区血管再生的影响及其机制

目的：探讨电针促进局灶脑缺血/再灌注后缺血海马区血管再生的机制。方法180只雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针组、CXCR4特异性拮抗剂AMD3100药物组、AMD3100＋电针组。线栓法制备右侧局灶脑缺血/再灌注模型。取大鼠“百会”穴（ GV 20）及左侧“四关”穴（合谷LI 4/太冲LR 3）为电针穴位,刺激时间为30 min/d。采用逆转录聚合酶链反应法（ RT-PCR）检测各组缺血海马区SDF-1α、CXCR4 mRNA表达,免疫荧光双标法检测CD34＋VEGFR2＋EPCs源性血管的表达。结果与假手术组比较,模型组与电针组SDF-1α、CX-CR4 mRNA表达明显增高（P＜0.05）,其中电针组各时间点相对模型组增高更为显著（P＜0.05）。 AMD3100＋电针组缺血海马SDF-1α、CXCR4 mRNA表达在再灌注后1 d时明显高于电针组（ P＜0.05）,但后逐渐下降,7 d时明显低于电针组（ P＜0.01）。与模型组比较,电针组再灌注3 d、7 d海马CD34＋VEGFR2＋EPCs源性血管表达明显增多（ P＜0.05）。与电针组比较,AMD3100＋电针组再灌注后7 d CD34＋VEGFR2＋EPCs源性血管表达明显下降（ P＜0.01）。 CD34＋VEGFR2＋血管表达变化与SDF-1α的表达变化显著相关（R＝0.784,P＜0.01）。结论电针可通过上调局灶脑缺血/再灌注大鼠缺血海马区SDF-1α/CXCR4的表达,促进血管再生。