大鼠电惊厥后c－fos在中枢神经系统中的表达

本实验应用Ｆｏｓ蛋白免疫组织化方法对大鼠电惊厥后不同时程中枢神经系统内的ｃ－ｆｏｓ表达进行了观察,结果表明;①ｃ－ｆｏｓ表达于电惊厥后３０ｍｉｎ开始,２ｈ达高峰,４ｈ后逐渐下降,１２ｈ基本恢复正常。②Ｆｏｓ阳性神经元呈对称性分布,分布于颞叶听皮质、梨状皮质、内嗅皮质、ｓｔｒ１８区、杏仁体、海马、齿状回、斜角带核、弓状核、下丘脑腹内侧核、．视前区、丘脑、上丘灰质、中央灰质和脑桥腹侧部等结构。③ｃ－ｆｏｓ在颞叶听皮质、梨状皮质和内嗅皮质最先表达,表达程度最强,恢复也最慢,提示这些结构可能是电惊厥发生的起源结构,并呈现皮层结构向皮层下结构播散的过程,主要播及边缘结构。     

大鼠内脏大神经电刺激后C－Fos在中枢神经系统中的表达

有关内脏痛的问题,已有不少学者进行了研究。但由于内脏痛本身的复杂性,至今其中枢传导途径还不太清楚。本实验刺激大鼠内脏大神经后,利用Ｆｏｓ的免疫组化技术在下列结构中可以发现Ｆｏｓ免疫组化阳性反应的神经元：隔外侧核、斜角带核、丘脑的菱形核、连接核、下丘脑室旁核、中缝背核、兰斑、中缝大核、网状外侧核、脊髓ＲｅｘｅｄⅠⅡⅢⅩ层等结构。而在对照组的上述结构中没有表达,只在耳蜗背核有较明显的表达。通过上述研究我们发现围绕脊髓中央管和各脑室的周围灰质系统与内脏伤害性刺激有关。这引起了我们极大的兴趣。关于这部分的工作我们正在进行中。     

电惊厥及电刺激耳大神经抗惊厥时大鼠海马生长抑素的变化

本工作选用电惊厥大鼠为实验性癫痫模型,观察了电刺激耳大神经对大鼠电惊厥发作的影响,结果表明：电刺激耳大神经能抑制电惊厥诱导的大脑皮层痫样放电,并可以明显缓解惊厥症状。应用免疫组织化学和原位杂交方法观察了电惊厥及电刺激耳大神经抗惊厥后海马神经元生长抑素及其mRNA的变化。结果显示：电惊厥时海马CA4区、下托处生长抑素免疫反应明显减弱,生长抑素mRNA表达显著增高;电刺激耳大神经抗惊厥后,CA4区,下托处生长抑素免疫反应明显增强。生长抑素mRNA表达显著下降。提示：电惊厥时海马生长抑素释放增加,生长抑素基因表达增强,生长抑素的合成增加;电刺激耳大神经抗惊厥后海马生长抑素释放减少,生长抑素基因表达下降,生长抑素的合成减少;电刺激耳大神经对电惊厥的抑制作用与其在海马调控生长抑素基因的表达有关。     

青霉素诱发癫痫及耳穴电针后大鼠前脑生长抑素mRNA的变化

应用地高辛标记的生长抑素（ＳＳ）ＲＮＡ探针原位杂交法观察大鼠在青霉素诱发的癫痫及耳穴电针抑制癫痫发作后有关的脑区中ＳＳｍＲＮＡ含量的变化。结果显示,青霉素致痫后２４小时梨状皮质、额叶皮质、扣带回、隔外侧核、杏仁基底核海马ＣＡ１－ＣＡ４区和齿状回颗粒细胞层、多形层等脑区ＳＳｍＲＮＡ的表达显著增加,与正常对照组比较Ｐ＜００５。耳穴电针抑痫（８０１００ＨＺ,６ｍＡ）后额叶皮质、杏仁基底核、海马齿状回、前梨状皮质ＳＳｍＲＮＡ的表达明显减少,Ｐ＜００５。提示前脑结核中的生长抑素与青霉素致痫和耳针抑痫有关。